2)操作方式
晶体单元可以用在电路中，以串联或并联两种方式工作。
a)串联谐振:在串联谐振下工作的晶体单元在电路中呈现电阻性，晶体单元的值几乎等于动生电阻R1。大多数晶体都是在串联谐振下制造的，除非规定了负载能力。
b)并联谐振:在并联谐振下工作的晶体在电路中出现电感。晶体频率将由晶体的等效电参数和负载电容CL决定，负载电容CL是决定晶体单元在振荡器电路中使用时的“条件”的一个因素。在普通振荡电路中，晶体单元用在它起感抗作用的范围内。

换句话说，当从晶体单元的两端观察振荡电路时，该振荡电路可以表示为负电阻-R和电容CL的串联电路。那时这个电容叫做负载电容。

负载电容之间的关系小，频率变化量大，并且当负载电容增加时，频率变化降低。如果减小电路中的负载电容，以确保振荡频率有较大的容差，则即使电路中有很小的变化，频率稳定性也会受到很大影响。负载能力可以从数据表上规定的标准值中选择。

3)并联电容
并联电容(Co)是晶振端子之间的电容。它因封装而异，通常在SMD晶振单元中较小，在含铅晶振单元中为6-7pF。

4)频率-温度特性
为了将晶体单元用作振荡器，要求其振荡频率对温度变化保持稳定。石英晶体具有晶轴，并且晶体切割是根据相对于晶轴的切割角度及其相关的振动模式来定义的。最常用的AT切割晶体单元的频率-温度特性由三次曲线表示。(见图2)以一个角度切割石英晶体晶片，在该角度下，在给定的工作温度范围内获得所需的频率容差。然而，实际上，由于连续工艺中切割和抛光精度的结果，表观切割角可能存在一些差异。因此，需要优化加工精度。

5)校准公差
校准容差是在特定温度(通常为25°c)下与标称频率的最大容许偏差，通常用百万分率(ppm)或标称频率的百分比来表示。

6)稳定性
稳定性是指在指定温度范围内，相对于标称频率的最大允许偏差，在25°C时以0为基准，用百万分之一或标称频率的百分比来表示。如前所述，该参数取决于石英晶片切割的角度。

7)整体频率容差
总频率容差是指由于温度、时间和其他环境条件的变化，相对于标称频率的最大容许偏差。

8)老化
石英晶体老化适用于频率的累积变化，其导致晶体单元工作频率的永久变化。在运行的前45天，频率的变化速度最快。衰老涉及许多相互关联的因素，一些最常见的因素是:
●内污染
●驾驶水平过高
●晶体表面变化
●各种热效应
●电线疲劳
●摩擦磨损

结合低工作环境、最小驱动电平和静态老化适当电路设计将大大减少老化问题，但不是全部。在10MHz范围内工作的电阻焊接晶体单元的典型老化数字为每年百万分之二(ppm)。

9)可拉性
晶振的可拉性指的是工作在并行模式下的晶振，衡量频率变化与负载电容的关系。对于希望通过改变负载电容值来实现单个晶体多种工作频率的电路设计者来说，可拉性非常重要。

10)泛音晶体
该晶体通常在其基频下工作，但通过对电路进行微调，也可以在其3次、5次、7次和9次谐波下工作。泛音晶体经过特殊处理，具有平面平行度和表面光洁度，以增强其在所需泛音谐波振动中的性能。

11)虚假响应
晶体也可能以与其基频或泛音频率无关的频率振动。这种不需要的频率被称为杂散频率。电路设计人员应确保振荡反馈电路在所需工作频率下实现最高增益，从而保护电路免受杂散影响。

12)驱动级别
由于晶体单元执行机械振动，过多的振动可能导致不稳定的振荡频率，并且最终在最坏的情况下可能导致对石英晶体晶片的严重损坏。设计振荡电路时，应检查驱动电平，以便使用低于数据手册规定电平的振荡器。图4示出了确认驱动水平的示例方法。这种方法使用电流探针来测量晶体振荡器电流。在这种情况下，驱动级别如右:

13)绝缘电阻
晶体单元的两个焊接端子之间或引线与外壳(金属外壳)之间的电阻。在100v±15V的DC电压下进行测试，绝缘电阻在500M欧姆的范围内。

14)质量因素
品质因数是运动电感、谐振频率和等效串联电阻(ESR)的品质函数。它通常在几万到几十万之间。