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首页台产晶振台湾加高谐振器X1C048000FK1H-HX晶振,无线充电器晶振,HELE低损耗无源晶振

    X1C048000FK1H-HX晶振,无线充电器晶振,HELE低损耗无源晶振

  • 编号:47842886
  • 频率:48MHz
  • 尺寸:1612mm
  • RoHS
  • RoHS2
X1C048000FK1H-HX晶振,无线充电器晶振,HELE低损耗无源晶振,特点:超小型尺寸,外形低调(1.65x1.25x0.4)mm高精度、可靠性高,热量高抵抗针对设计空间有限的智能手机应用程序、小型化无线模块设备、RFID应用程序和其他基...


X1C048000FK1H-HX晶振,无线充电器晶振,HELE低损耗无源晶振特点:超小型尺寸,外形低调(1.65x1.25x0.4)mm高精度、可靠性高,热量高抵抗针对设计空间有限的智能手机应用程序、小型化无线模块设备、RFID应用程序和其他基于消费者的产品的优化解决方案。台湾加高晶振公司,HELE晶振,小尺寸晶振,1612晶振,超小型晶振,超小型晶振,低损耗晶振,高品质晶振,高精度晶振,环保无铅晶振,电脑主板晶振,智能穿戴设备晶振,6G通讯终端晶振,程控交换机晶振,无人机晶振。

X1C048000FK1H-HX晶振,HELE低损耗无源晶振,无线充电器晶振

标称频率 24~32MHz 33~52MHz 80MHz,96MHz
工作模式 Fundamental
频率容差
 
±7ppm
 ±10ppm
负载电容 4pF Min.
 
7pF Min.
驱动电平 10μW (300μW Max.) 10μW (200μW Max.)
等效串联电子 100Ω Max. 50Ω Max. 50Ω Max.
储存温度
 
-55~+125 C

X1C048000FK1H-HX晶振,无线充电器晶振,HELE低损耗无源晶振


原厂编码 生产商 型号 频率 频率容差 负载电容
X2C025000DZ1H-U 加高晶振 HSX211S 25 MHz ±20ppm 6pF
X2C032000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 10pF
X2C024000DZ1H-HU 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±20ppm 6pF
X2C016000B81H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 8pF
X2C026000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±10ppm 12pF
X1C032000B81H-HR 加高晶振 HSX111S 32 MHz ±10ppm 8pF
X1C024000B81H-HV 加高晶振 HSX111S 24 MHz ±10ppm 8pF
X2C048000L71HH-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±8ppm 11.1pF
X1R038400B81HA-CEHPZ 加高晶振 HSX111SR 38.4 MHz - 8pF
X2U026000B81HBZ-DHPZ 加高晶振 HSX211SR 26 MHz ±10ppm 8pF
X2U019200BZ1H-CEHQZ 加高晶振 HSX211SR 19.2 MHz ±10ppm 7pF
X2U038400B81H-EPQZ 加高晶振 HSX211SR 38.4 MHz ±10ppm 8pF
X1R052000B81HZ-DEHPZ 加高晶振 HSX111SR 52 MHz - 8pF
X12A040000BZ1H-HZ 加高晶振 HSX1210A 40 MHz ±12ppm 6pF
X12A032000B81H-HZ 加高晶振 HSX1210A 32 MHz ±10ppm 8pF
X1C026000B81H-V 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±20ppm 26pF
X1C032000B81H-HU 加高晶振 HSX111SA 32 MHz ±10ppm 8pF
X1C048000FK1H-HX 加高晶振 HSX111SA 48 MHz ±30ppm 20pF
X2C016000B81H-HPU 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 8pF
X2C016000B91H-R_C254270 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C024000FA1H-X 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF
X2C026000B91H-V 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±15ppm 9pF
X2C027120FA1H-HV 加高晶振 HSX211S 27.12 MHz ±30ppm 10pF
X2C032000B81H-HS 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±15ppm 8pF
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF
X2C032000BC1H-R 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 12pF
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF
X2C038400BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 38.4 MHz ±10ppm 10pF
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF
X2C048000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±10ppm 10pF
X1C026000B81H-V 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±20ppm 8pF
X1C026000BC1H-HZ 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±10ppm 12pF
X1C032000B81H-HU 加高晶振 HSX111SA 32 MHz ±10ppm 8pF
X2C016000B91H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF
X2C016000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 12pF
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF

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