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更多>>贴片晶振,爱普生有源晶振,SG-8002JC晶振,安卓手机晶振, 有源晶振是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
晶振参数 | 符号 | SG-8002JC |
标准频率 | fo | 1.0MHZ to 125.0MHZ |
电源电压 | Vcc | 4.5V~5.5V |
存储温度 | T_stg | -55℃~+125℃ |
工作温度 | T_use | -20℃~+70℃ |
频率公差 | F_tol | ±50.0 × 10-6 Max |
电流消耗 | Icc | 30 mA MAX |
输出当前禁用 | I_dis | 16 mA MAX |
静态电流 | I_std | 50 uA MAX |
对称性 | SYM | 40% to 60% |
输出负载 | L_CMOS | 15pF Max |
输出电压 | VOH | Vcc-0.4V Min |
VOL | 0.4V Max | |
上升/下降时间 | tr/tf | 3ns Max |
启动时间 | T_str | 10ms Max |
频率老化 | F_aging | ±5.0 × 10-6 / years Max |
石英晶体共振子应用在并联振荡线路上, 振荡频率与负载电容CL有很大的关系. 这在前面的公式(3)就可以看到. (图) 是以并联振荡线路上FL频率对负载电容CL的变化曲线示意图.
频率的“牵引率”指的是负载电容CL1的频率FL1到负载电容CL2的频率FL2的频率变化. 在(图十一)中可以是FL1(CL=24pF)与FL2(CL=10pF)的频率变化值. 在这个例子中的频率牵引率是 220 ppm. 若我们将CL1与CL2的负载电容值趋近极小化(曲线作数学上的微分), 就会得到曲线的切线值. 这个切线值就是用某一个负载电容的敏感度( trim sensitivity ).在(图)中, CL=24 pF 时的频率敏感度是10 ppm/pF, 及CL=10 pF时的频率敏感度是20 ppm/pF. 在并联线路中, 负载电容越小, 频率对负载电容变化的敏感度越高. 相反的, 负载电容越大, 频率对负载电容变化的敏感度越低. 这就是石英晶体共振子用于VCXO线路上时, 线路设计上会选用较小负载电容. 反之, 在要求较准确的频率信号时, 线路设计上会选用较高的负载电容.
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