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晶振官方博客
更多>>大真空智能手机晶振,DSO1612AR有源晶振,SPXO晶体振荡器,为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +3.3V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.63 mm,体积:0.0022cm3,重量:0.008g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
规格参数 | DSO1612AR | |
频率范围 | 0.584375~80.0MHZ | |
电源电压 | +1.8 ~ +3.3V | |
消费电流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f>26MHZ) |
|
出力电压 | 0.8 Vp-p min | |
工作温度 | -40℃~+85℃ | |
出力负荷 | 10KΩ//10pF | |
负荷变动特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) | |
电源电压特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) | |
老化率 | ±1.0×10-6 max /year | |
起动时间 | 2.0ms max |
大真空针对晶体产品中所含的以铅为首的六价铬、汞、镉、PBB、PBD等RoHS指令(Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances)及车载相关管制的ELV(End of Life Vehicles Directive)中列明的管制物质、以及阻燃剂中 使用的卤素化合物,积极开展削减工作,并准备了RoHS/ELV指令对应产品、无卤产品以及无铅产品.
社会责任
大真空组有助于创建一个通过环境保护活动逐步发展中社会与环境的和谐.
遵守法律和监管要求
大真空观察法规和监管要求,从事环保产品的开发.
<晶体谐振器>
如果过大的激励电力对晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.
让谐振器振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上.
<晶体振荡器>
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑.
有些晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.
<晶体滤波器>
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近.
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路.
如果过大的激励电力对晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在晶体滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用.
1.技术支持 2.客服咨询
全方位技术指导,专业的技术支持让您感受到 专业的销售团队,耐心为您解答任何疑问,让您的
前所未有的后顾无忧. 消费得到保障.
3.质量保证,诚信为上 4.提升业绩,降低成本
我司以“以科技为动力,以质量求生存”为理念. 为您的产品量身订制,免费取样,
为您做到低成本,高效率.
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