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石英晶振,KDS晶振,DSB211SLB温补晶振,TCXO振荡器,大真空晶振代理商,为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
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规格参数 | DSB211SLB | |
频率范围 | 12.288~40.0MHZ | |
电源电压 | +1.1 ~ +1.4V | |
消费电流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f>26MHZ) |
|
出力电压 | 0.8Vp-p min | |
温度特征 |
±0.5×10-6 max /-30~+85℃ ±0.5×10-6 max /-40~+85℃ (Option) |
|
出力负荷 | 10KΩ//10pF | |
负荷变动特性 | ±0.1×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) | |
电源电压特性 | ±0.1×10-6 max (Vcc±5%) | |
老化率 | ±1.0×10-6 max /year | |
起动时间 | 2.0ms max |
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石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常状态下, 其电偶极是互相平衡的电中性. 在(图二左)的二氧化硅是以二维空间的简化图形. 当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予正电场及负电场时, 空间系统为了维持电位平衡, 两个氧原子会相互排斥, 在氧原子下方形成一个感应正电场区域, 同时在硅原子上方产生感应负电场区域. 相反的情况, 当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予负电场及正电场时, 两个氧原子会相互靠近, 氧原子下方产生感应负电场,硅原子上方产生感应正电场. (图二). 然而, 氧原子的水平位置变化时, 邻近的另一个氧原子会相对的产生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原来的空间位置. 因此, 电场的力量与原子之间的力量会相互牵动, 电场的改变与水平方向的形变是形成交互作用状态. 这个交互作用会形成一个在石英材料耗能最小的振动状态, 祇要由电场持续给与能量, 石英材料就会与电场之间维持一个共振的频率. 这个压电效应下氧原子的振幅与电场强度及电场对二氧化硅的向量角度有相对应的关系.在实际的应用上, 电场是由镀在石英芯片上的金属电极产生, 电场与二氧化硅的向量角度则是由石英晶棒的切割角度来决定.
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为追求生产绿色产品之目标,将环保理念纳入采购流程中,采购人员于收集市场资讯时,优先提供符合「大真空电子无有害物质管理作业标准」之材料相关资讯予产品设计人员参考,并依其要求提供符合规范之样品与规格.原材物料承认时,采购人员须请供应商填写公司提供之问卷表单及相关RoHS检测报告,经原材物料相关审验单位审查通过后,方可使用.
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