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关于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振荡器的技术知识问答

来源:http://konuaer.com 作者:康华尔电子 2019年11月04
关于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振荡器的技术知识问答
  对于Silicon晶振这个品牌,有部分用户比较熟悉,因为Silicon Laboratories.公司在世界范围内,70多个国家里都有使用他们家MEMS振荡器产品的厂家,Silicon公司是美国时序产品的制造商,在频率元件方面做得非常好,在行业里排名前10位.Silicon的振荡器产品主要是MEMS可编程系列的,而且尺寸可以做到非常小,目前Silicon振荡器的尺寸主要有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm等封装.
WXBM.png
  501ACA10M0000DAG是Si501晶振系列的一条原厂编码,这个系列的尺寸是3.2*2.5mm,在MEMS振荡器里算是比较小的一种体积.主要用于无线通信,5G基站,航空航天设备,探测器,程控交换机,千兆光纤网络等高端的产品.拥有低衰减,低电平,低抖动,低电压,低相控等优良的性能.下面表格是501ACA10M0000DAG及其他Silicon贴片晶振产品的编码,和一些相关的技术知识,将通过问答的形式让用户更加了解.
501ACA10M0000DAGR Si501晶振 10MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501JCA10M0000BAFR Si501晶振 10MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA10M0000BAGR Si501晶振 10MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA10M0000CAFR Si501晶振 10MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA10M0000CAGR Si501晶振 10MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA10M0000DAFR Si501晶振 10MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA10M0000DAGR Si501晶振 10MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501HCA12M0000BAFR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501HCA12M0000BAGR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501HCA12M0000CAFR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501HCA12M0000CAGR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501HCA12M0000DAFR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501HCA12M0000DAGR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501BCA16M0000BAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BCA16M0000BAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BCA16M0000CAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BCA16M0000CAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BCA16M0000DAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501BCA16M0000DAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501BAA16M0000BAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BAA16M0000BAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BAA16M0000CAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BAA16M0000CAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BAA16M0000DAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501BAA16M0000DAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA20M0000BAFR Si501晶振 20MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA20M0000BAGR Si501晶振 20MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA20M0000CAFR Si501晶振 20MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA20M0000CAGR Si501晶振 20MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA20M0000DAFR Si501晶振 20MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA20M0000DAGR Si501晶振 20MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501AAA24M0000BAFR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501AAA24M0000BAGR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501AAA24M0000CAFR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501AAA24M0000CAGR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501AAA24M0000DAFR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501AAA24M0000DAGR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501JAA24M0000BAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JAA24M0000BAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JAA24M0000CAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JAA24M0000CAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JAA24M0000DAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JAA24M0000DAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA24M0000BAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA24M0000BAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA24M0000CAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA24M0000CAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA24M0000DAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA24M0000DAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
  问一:Si50x:Si501/2/3/4–与XO相比,CMEMS较不易受振动的影响
  典型的25MHz石英晶体的质量约为1.70mg.CMEMS谐振器的质量为27.8ng.CMEMS谐振器的质量约为石英晶体的0.000016(?1/61,000).石英晶体物理上安装在2个垫板上,如“潜水板”,并且在遭受冲击或振动时会基本移动,从而损害了将晶体附着到其安装点的环氧树脂.CMEMS谐振器牢固地固定在所有四个角以及中心支架上.鉴于CMEMS谐振器的质量要低得多,并且要保持更大的牢度和安全性,因此CMEMS谐振器可以比石英谐振器承受更多的振动和G冲击力.
  问二:Si501/2/3/4所支持的频率范围是什么?
  Si501/2/3/4所支持的频率范围是从32.000KHz持续至100.000MHz.
  问三:Si50x:Si501/2/3/4–老化和频率稳定性
  Si501/2/3/4的加速老化测试显示出非常小的频率偏差,在±2ppm之内(+2.1ppm,-1.9ppm).下图显示了在125°C老化1000小时后的设备频率输出误差.
  问四:Si50x:Si501/2/3/4上的RMS相位抖动
  Si501/2/3/4有源晶振设计用于低周期和周期抖动比低频相位噪声更为重要的应用.许多消费,工业和嵌入式应用都不关心“近距离”相位噪声.通常,只有极低抖动的通信应用程序才关注较低频率的“近距离”抖动.选择900KHz至7.5MHz的频带是为了给与高频相位噪声有关的应用(例如SATA等点对点存储协议)提供典型的均方根相位抖动.Si501/2/3/4专门针对周期抖动是主要抖动问题的成千上万种低成本和低功耗通用应用,并且非常适合这些应用.
  问五:Si501/2/3/4的推荐焊料回流曲线是什么?
  Si501/2/3/4的推荐回流焊曲线应遵循IPC/JEDECJ-STD-020D.注意:在实验室使用时,只要不使用过多热量,就可以将SI501/2/3/4手工焊接到PCB上.
  问六:Si50x现场编程器可以重新编程以前已编程好的设备吗?
  Si可以将Si501/2/3/4设备使用一次性替换(OTP)配置内存.Si50x设备被编程好之后,不可以更改或重新编程以前已编程的信息.
  问七:如果器件在正常的-40C至+85C温度范围之外工作,则频率稳定度(ppm)可能会发生什么?
  在超出数据手册规定工作范围的温度下,无法保证器件规格(例如,Si501/2/3/4的初始精度和总稳定性).话虽如此,设备参数,如频率稳定性,不应突然改变,而应随温度平稳地偏离.同样,我们不保证超出数据手册规定的限制工作,建议始终使器件保持在工作限制内.
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