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更多>>石英晶振电路中CO和C1指的是什么?
来源:http://www.konuaer.com 作者:康华尔电子 2019年04月26
我们常常在石英晶体谐振器或晶体振荡器的电路图中,可以看到CO和C1这两个,专业的工程师一看就明白CO是静态并联电容,C1是动态容量,那么这个静态和动态到底是什么意思呢?别急,康华尔电子接下来就为大家解释解释。
静态并联电容C0:
静态并联电容C0是在石英振荡器的端子处可直接测量的电容。它是电极电容CE,通过石英晶体振荡器外壳内的保持和杂散电容CH增加。电极电容CE由通常电镀在谐振器表面两侧的激励电极形成。这些电极的距离是谐振器的厚度d,其由厚度剪切振荡器中的谐振频率fr给出。从平板电容器的电容方程式如下:
g=0.886A10-14F/mm;g=4.7;A=电极面积(mm2)
E=电极直径(mm);f=晶振谐振频率(kHz);n=泛音容量CH应设定为约0.8pf。通过外壳容量CH,可以创建一个新的扩展等效电路(图2.53)。两个杂散电容CHA和CHB由电极和壳体之间的电容以及电流馈通的电容形成。在测量静态电容C0时应考虑这一事实,特别是在使用单端连接测量电容C0然后确定动态电容C1时(第2章)。晶振外壳容量CH=CHa+CHb的大小也取决于外部电路,因为在极端情况下,两个杂散电容中的一个可能在低电阻终端和接地外壳处短路。
图2.52电极表面
图2.53Sreuka容量CH
动态容量C1:
动态电容C1由弹性常数sjj和压电常数dij决定。然而,与限制于石英晶体的振荡部分的静电电容,电极区域A,厚度d,谐振器的表面曲率形成对比。
和泛音的顺序n(图2.52).Co给出了容量比r:
表面曲率(透镜石英)Kr的校正因子大约在1和2.5之间。对于基音Kr=1的平面并联谐振器,Ka容量比r约为200...220,泛音r约为n2倍。弹性常数sjj和压电常数dij的材料典型值在SMD晶振石英中是方向依赖的。这导致不同石英部分的不同的典型替换数据。压电常数的方向依赖性还导致替换数据的值略微不同,作为电极的端子凸耳相对于Z轴的方向的函数。
其实晶振电路图上每一个字母或数字,都有特殊的含义,虽然我们研究晶体很多年,但至今仍没有解开晶体所有的秘密,这种带有压电效应和电极的结晶体,仍保留着神秘的面纱。通过探索和开发,国内外的晶体制造商设计出许多不同的谐振器和有源晶振,为人们所用,进而改变社会和生活。
静态并联电容C0:
静态并联电容C0是在石英振荡器的端子处可直接测量的电容。它是电极电容CE,通过石英晶体振荡器外壳内的保持和杂散电容CH增加。电极电容CE由通常电镀在谐振器表面两侧的激励电极形成。这些电极的距离是谐振器的厚度d,其由厚度剪切振荡器中的谐振频率fr给出。从平板电容器的电容方程式如下:
g=0.886A10-14F/mm;g=4.7;A=电极面积(mm2)
E=电极直径(mm);f=晶振谐振频率(kHz);n=泛音容量CH应设定为约0.8pf。通过外壳容量CH,可以创建一个新的扩展等效电路(图2.53)。两个杂散电容CHA和CHB由电极和壳体之间的电容以及电流馈通的电容形成。在测量静态电容C0时应考虑这一事实,特别是在使用单端连接测量电容C0然后确定动态电容C1时(第2章)。晶振外壳容量CH=CHa+CHb的大小也取决于外部电路,因为在极端情况下,两个杂散电容中的一个可能在低电阻终端和接地外壳处短路。
图2.52电极表面
图2.53Sreuka容量CH
动态容量C1:
动态电容C1由弹性常数sjj和压电常数dij决定。然而,与限制于石英晶体的振荡部分的静电电容,电极区域A,厚度d,谐振器的表面曲率形成对比。
和泛音的顺序n(图2.52).Co给出了容量比r:
表面曲率(透镜石英)Kr的校正因子大约在1和2.5之间。对于基音Kr=1的平面并联谐振器,Ka容量比r约为200...220,泛音r约为n2倍。弹性常数sjj和压电常数dij的材料典型值在SMD晶振石英中是方向依赖的。这导致不同石英部分的不同的典型替换数据。压电常数的方向依赖性还导致替换数据的值略微不同,作为电极的端子凸耳相对于Z轴的方向的函数。
其实晶振电路图上每一个字母或数字,都有特殊的含义,虽然我们研究晶体很多年,但至今仍没有解开晶体所有的秘密,这种带有压电效应和电极的结晶体,仍保留着神秘的面纱。通过探索和开发,国内外的晶体制造商设计出许多不同的谐振器和有源晶振,为人们所用,进而改变社会和生活。
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