在国内普通的无源石英晶振对于很多电子线路设计工程师来说都很熟悉，甚至说是简单了，对于很多晶振生产商来说也是一样的，无源石英晶振在国内已经没有技术可言，那么有源晶振相对来说就高了一个档次了，所以在国内生产无源的石英晶振厂家非常的多，无论是生产DIP晶体系列，或者是说生产贴片晶振系列。可以说目前有点泛滥了，对于较高端的有源晶振来说就比较神秘了，从表面技术层次来说，有源晶振跟无源晶振无法就是一个带电压，一个不带电压，那有那么复杂吗?实际上有源晶振它比你想象中的复杂多了，今天我们看日本京瓷晶振厂家的日本高级技术工程师来给我们大致讲解下有源晶振的线路设计都有哪些难题，有哪些需要注意的，这些也许对你在线路设计中能起到帮助。

■EMI対策について
EMIは水晶発振回路の色々な部分から発生します。EMIの発生部分を明確にして発生を抑える対策をされた基板を設計することにより EMIレベルを低減することが可能となります。
对于EMI对策
EMI从石英晶体振荡器电路的各个部分产生的。有可能通过该基板，其是抑制生成澄清的EMI的发生部的量度设计，以减少EMI水平。
1.EMIの発生部分①IC内部
IC内部からも EMIが発生します。
内部EMI的产生一部分①IC
EMI也将从IC内部发生
②基板パターン

ICと贴片晶振やコンデンサ等をつなぐ基板パターンが長くなるとこの部分がアンテナとなりEMIレベルが増加しますが、インバータの OUT側②のパターンから多くの EMIが発生しています。図のようにIN、OUTのラインを平行に長く引くと負性抵抗も減少するので好ましく有りません。
董事会格局
EMI水平这部分成为发生所述天线将增加连接的集成电路，晶体振荡器和电容器等是长基底图案，但许多的EMI从OUT侧②的反相器的图案。在如图所示，负阻和拉平行OUT的一个长行不优选具有由于减少了
③贴片晶振水晶振動子
発振している水晶振動子の電極には発振周波数の交流振幅が現われますが、発振段の IN側電極は一般的に正弦波に近い波形なのでEMIレベルはかなり低いのですが、OUT側では矩形波に近い波形で多くの高調波を含んでいて高いレベルの EMIを放射します。
④グランドライン
グランドラインのインピーダンスが高いとEMIレベルが増加します。
⑤電源ライン
通常電源ラインは交流的にグランドと同レベルです。電源ラインの交流インピーダンスが高くなると電源ラインが EMIを輻射するアンテナになってしまいます。
⑥出力ポートデータを出力するポートからも EMIが発生します。
石英晶体振荡器
虽然石英晶体振荡器的电极是振荡会出现交替的振荡频率的电流幅度，EMI水平是但自振荡器级的IN侧电极是大致接近正弦波的波形，矩形OUT侧相当低包括一些在波附近波形的谐波排放大量的EMI。
④接地线
接地线的阻抗是高EMI水平将增加。
⑤电源线
正常电源线是交流电到地，并且在同一水平。当电源线的AC阻抗是高电源线将成为辐射的EMI的天线。
EMI从端口输出⑥输出端口的数据产生
⑦電源

電源の出力自体にノイズが含まれると水晶発振回路や他の機能回路がノイズによって変調を受けてしまい、これらの回路から発生する EMIレベルが増加します。又、電源ラインのインピーダンスが高いと発振振幅が電源ラインに現われるため、電源ラインをアンテナとして EMIが輻射されてしまいます。
动力
当包括输出本身由石英晶体振荡电路和其他功能电路的意志的噪声接收由噪声调制的电源，从这些电路产生的EMI水平将增加。另外，由于电力线的阻抗的振幅是在电源线高出现，EMI和电源线作为天线将辐射
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2.EMI対策
C-MOSインバータを使ったピアース水晶発振回路の IN側の発振波形はサイン波若しくはサイン波に近い波形ですのでこの部分から発生する高調波は微小です。それに比べてインバータの OUT側の波形は矩形波又は歪を持った矩形波ですので多くの高調波成分を含みます。この部分に接続された基板パターンがアンテナとなり EMIとして空中に輻射されます。 EMI对策
使用的C-MOS倒相器皮尔斯晶体振荡器电路的IN侧的振动波形，是因为它是接近从该部分产生的正弦波或正石英晶振弦波谐波的波形是非常小的。逆变器输出相对于它的波形侧含有大量的谐波成分，因为它是一个方波，方波或失真。连接到衬底图案是在空气中辐射作为电磁干扰成为天线在这部分

グランドパターン
①IC内部から発生している EMI _IC基板のIC下部に面グランドを設けるとICの下側へ輻射される EMIを減少させる事が可能です。
大格局
的表面地对EMI IC基板的从内部发生①IC集成电路底部提供能够以减少EMI辐射到IC的低。
基板

②基板パターンから発生している EMI _{ループを作らないで}
右の図のように ICと水晶振動子やコンデンサ等をつ_{末端はオープンにする}なぐ基板パターンがEMIを輻射するためのアンテナとならないように最短のパターン長になるように基板を設計します。さらに発振部の信号パターン周辺をグランドパターンでシールドすることも効果がありますが、これらのパターン同士を接近させ過ぎると負性抵抗が減少してしまいますので基板パターン設計の際には注意が必要です。又、グランドパターンは矢印部分のように端を開放し、決してループを作らないように設計する事が重要です。発振部の基板パターンの中では多くの EMIがインバータの OUT側に接続されたラインから発生しますので、このパターン長を最短に設計する事が重要です。後述の「プリント基板の設計に関する御注意も合わせてご参照願います。インバータの IN側の波形は殆どの場合に正弦波ですので発生する EMIは低レベルです。基板パターンがOUT側より長くなる事による EMIの増加量は OUT側のパターンを長くした場合に比べてはるかに少ない量です。
不进行已经从基板图案发生的EMI环
一个IC和京瓷石英晶振和电容器，并如图所示在右端将设计所述衬底，以便纳古板图案以打开最短模式长度，以便不被用于辐射的EMI的天线等。还存在进一步屏蔽在接地图案振荡器的信号图案周边，过多来近似这些模式彼此和负电阻会在基片的图案设计的时间被减小，从而必须注意的效果。此外，接地图案是打开端如箭头所示的部分，它设计从未以免创建一个循环是重要的。因为在可以从许多的EMI发生振荡器的基板图案是连接到逆变器的OUT侧的线，就设计该图案长度最短是重要的。请参阅您的关注也契合了“印制电路板下的设计。EMI是中产生的波形侧逆变器，因为它是在大多数情况下正弦波是一个较低的水平。董事会模式比OUT侧长增加引起EMI低得多的量小于在图案的长OUT侧的情况下
発振回路へ発振部OUT側のパターンは最短にする
振荡单元OUT侧的图案与振荡电路是最短

③贴片晶振水晶振動子から発生している EMI
金属キャップが使われている SMD贴片晶振のCX-2520SB、CX-3225SB、KSX-23、CX-4025S、CX-96F、KSX-35、KSX-36、CX-91Fでは空き端子が水晶振動子の内部で金属キャップに接続されているので、空き端子をグランドに接続すると水晶振動子から電極のキャップに誘導されて空中に輻射されるEMIレベルを減少させる事が可能です。缶タイプ（リードタイプ）の水晶振動子はキャップ全体に発振振幅が誘導されて現われ、EMIとして空中に輻射されます。水晶振動子から空中に輻射される EMIレベルを減少させるには缶をグランドに接続するための金属ジャケットが装着された CX-49Lタイプをご利用願います。
个从所述石英晶体振荡器产生③的EMI
SMD晶振金属盖是采用京瓷晶振CX-2520SB，CX-3225SB，KSX-23，CX-4025S，CX-96F，KSX-35，KSX-36，在CX-91F免费终端晶体振荡器内部，因为它被连接到金属盖，有可能被连接时的自由终端到地中，以减少空气中产生的EMI水平的电极的盖的晶体振荡器衍生。在可以输入（铅型）的晶体振荡器似乎诱发振荡幅度在整个帽，这将是在空气中的EMI辐射。请用CX-49L型金属套被安装到可以连接到地面，以减少在从晶体振荡器的空气产生的EMI水平。
④グランドラインから発生している EMI

コンデンサのグランド側パターンの引き回しが細長くなるとその部分がアンテナとなって EMIが輻射されるのでこれらも最短のパターン長でグランドラインに接続されるように基板を設計しなければなりません。前記対策②をご参照願います。
EMI已经从④接地线发生
你必须设计板，使它们的电容器的图案的接地侧的导线和被拉长部分被连接到接地线也最短的模式长度，因为EMI成为天线辐射。这些措施②请参考。

石英水晶振動子基板搭載上面図
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⑤電源ラインから発生している EMI
広い周波数帯で電源ラインのインピーダンスが高くならないように自己共振周波数の異なる数種類の値のバイパスコンデンサを接続すると効果的です。通常は右の図のように水晶発振回路 ICの電源端子の側近に最短のパターン長で CM、CT、CFシリーズ中の高誘電率系セラミックコンデンサをパスコンとして接続します。電源
个从所述电源线中产生的EMI⑤
有效是在连接多个自谐振频率的值的不同的旁路电容器，使得电力线的阻抗不高在一个宽的频带。典型地连接以最短的图案长度与晶体振荡电路IC的电源端子的随从的CM所示向右，CT，在CF系列作为旁路电容器的高介电常数型陶瓷电容器。动力

供給ラインの長い基板ではこれらのコンデンサをセットにして複数箇所に接続すると非常に効果的です。1個の LSIで数種類の電源電圧を必要とする場合はそれぞれにパスコンが必要です。低周波域のノイズに対しては数μF以上の容量値の電解コンデンサを併用しますが電源のレギュレータの出力端に大きな容量のコンデンサを接続するとレギュレータ IC自体が発振してしまう場合があるので注意が必要です。又、電源ラインから輻射される EMIを抑えるには KNHシリーズの EMIフィルターKNH21104や KNH21473をご使用されますと効果的です。
当连接到多个位置的一组这些电容器是电源线的长板是非常有效的。如果需要几种电源电压的LSI中的一个需要一个旁路电容，分别。请注意，在与你组合的低频区域中，但调节器的大容量的和的功率到电容器稳压器IC本身连接到用于的在某些情况下噪声的比几μF多个电解电容器电容值的输出端产生振荡是必需的。此外，为了减少EMI，其从电源线辐射是和是有效的是使用KNH晶振系列的EMI滤波器KNH21104和KNH21473
⑥出力ポートから発生する EMI
データの形態によってはラインフィルターが使用できる場合も有りますが不可能な場合はポートやデータを伝送するパターンの周辺を上記②の方法で被い更に基板の反対側を面グランドパターンで被うと効果的です。使わないポート等は ICマニュアルに指示された適正なインピーダンスで終端します。
⑦電源から発生する EMI 直流電源発生回路から輻射される EMI低減するには電源回路を金属カバー等でシールドすると効果的です。
⑥从输出端口产生的EMI
当覆盖在图案的周边，但也有发送端口的情况下，并根据该数据的形式上的数据是不可能的是线路滤波器能在进一步的表面接地图案的相对侧被使用，通过上述②的效果方法覆盖的衬底这是具体的。使用不端口等应在由IC手册指示正确阻抗被终止。
⑦为了减少EMI从用于从电源产生的EMI直流电源生成电路辐射是有效的，当电源电路与一个金属盖或类似物屏蔽。
3.EMIを減少させる回路構成と定数の選択（高調波を発生させないようにする為の対策）
振動波形の形状によって EMIの量やレベルが変化しますが、振動波形がサイン波の場合に EMIが最も少なくなります。C-MOSインバータ石英水晶発振回路ではインバータの IN側の振動波形はサイン波に近いのでこの端子から発生する EMIは少量です。しかし、OUT側には IN側のサイン波が反転増幅された矩形波が現われるので高調波が多く含まれます。次のような方法で OUT側の発振波形の歪を減少させ EMIの量を減少させる事が可能です。
的电路结构和恒定的选择，以减少3.EMI（措施以便不产生谐波）
由振动波形的形状的量和EMI的水平会有所改变，但振动波形是至少EMI为在正弦波的情况下。 EMI在待从终端如此接近正弦波产生的逆变器的IN侧的振动波形在C-MOS反相器的晶体振荡器电路是少量。然而，OUT侧包含许多谐波，因为IN侧的方波正弦波反转出现放大。减少OUT侧的振荡波形的失真以下面的方式，可以减少EMI的量。
① Rdや Rxを使用して C2に充放電される電荷量を減少させる。
これらの抵抗を使用する事により、発振回路の負性抵抗が減少し発振起動時間が長くなる変化が起こりますので、適正な値の抵抗値を選択すると共に回路検討によってご設計の目標値を満足することを確認しておく必要があります。
使用①Rd或Rx和减少电荷的量被充电和放电到C2。
通过使用这些电阻器，可以发生在负电阻降低振荡的启动时间是在振荡电路中不再改变，通过结合选择适当的值的电阻值考虑的电路满足设计的目标值你需要确认你想。
②C2を C1に比べて極端に小さな値を使用します。例えば C1＝22pF、C2＝5pFのように OUT側の容量値を小さな値にするとOUT側の波形が矩形波からサイン波に近くなりますので EMIレベルが減少します。但し、OUT側のコンデンサの容量値を小さくし過ぎると振幅レベルも低下しますので、OUT側の振幅レベルが後段の回路を駆動する為に十分な値で有る事を確認しておく必要が有ります。
②C2它使用相对于C1中的非常小的值。例如，C1 =22pF的，OUT的C2 =波形端出来端和电容值来作为5pF的将接近从矩形波正弦波，因为EMI水平会降低一个很小的值。但是，由于它也降低幅度水平太小电容器的OUT侧的电容值，OUT侧的必要振幅电平应该确保有足够的值，以驱动后级的电路有你。

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