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更多>>SMD温补晶振X1G00539100220与汽车胎压检测绝配?
来源:http://konuaer.com 作者:ciuy 2022年10月13
SMD温补晶振X1G00539100220与汽车胎压检测绝配?爱普生是一家非常具有创新能力,以及追求极致完美的知名制造商,通过自身努力奋斗,赢得广大用户为其喝彩,成长的路上不惧困难,敢于不断挑战自我,并开发出具有优势的晶振产品,研发生产这款TG5032CFN晶振,有源晶振编码X1G005391002200,频率40.000000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压3.13 ~ 3.46 V,电源电压(一般)3.300V,尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.4mm,操作温度-40至++85°C,频率公差+/- 1.0ppm,具有低损耗,低相位相噪,高性能的特点,适合用于汽车胎压检测,罗拉无线模块,通讯模块,仪器设备,医疗设备等领域。
SMD温补晶振X1G00539100220与汽车胎压检测绝配?爱普生通过应用其多年来开发的高效、紧凑和精密技术来解决挑战,寻求推进工业前沿并推动循环经济。这些技术可以节省能源、实现更小的石英晶振产品并提高准确性和精度,使爱普生能够为可持续发展目标 (SDG) 做出贡献,从而为所有人带来更美好、更可持续的未来。
爱普生拓优科梦把半导体(IC)称之为“产业之米”,并认为晶体元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度进口晶振,晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.
SMD温补晶振X1G00539100220与汽车胎压检测绝配?爱普生通过应用其多年来开发的高效、紧凑和精密技术来解决挑战,寻求推进工业前沿并推动循环经济。这些技术可以节省能源、实现更小的石英晶振产品并提高准确性和精度,使爱普生能够为可持续发展目标 (SDG) 做出贡献,从而为所有人带来更美好、更可持续的未来。
Product Number | Model | 爱普生晶振 | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | F.Tol@25°C | Ope Temperature |
X1G005391000600 | TG5032CFN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391000700 | TG5032CFN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391000800 | TG5032CFN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391000900 | TG5032CFN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001000 | TG5032CFN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001100 | TG5032CFN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001500 | TG5032CFN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001600 | TG5032CFN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001700 | TG5032CFN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001800 | TG5032CFN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391001900 | TG5032CFN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002000 | TG5032CFN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002100 | TG5032CFN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002200 | TG5032CFN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002300 | TG5032CFN | 24.576000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002500 | TG5032CFN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002600 | TG5032CFN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391002700 | TG5032CFN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391003000 | TG5032CFN | 19.440000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G005391003100 | TG5032CFN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
X1G005391003200 | TG5032CFN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
X1G005391003300 | TG5032CFN | 30.720000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
X1G005391003400 | TG5032CFN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
X1G005391003500 | TG5032CFN | 25.600000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
X1G005391003600 | TG5032CFN | 30.720000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
X1G005391003700 | TG5032CFN | 15.360000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.50 mm | CMOS | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C |
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此文关键字: 高质量温补晶振
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