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更多>>什么叫做可编程贴片晶振?
来源:http://www.konuaer.com 作者:晶振帝国 2016年11月17
什么叫做可编程晶振?其实可编程还有个很好听的名字叫做:硅晶体,可编程石英晶振简单的解释就是,把你需要的晶振频率,精度,电压,负载等要求提供过来,在通过简单的电脑编辑器,把你需要的这些参数在电脑控制器上,输入你所提供的参数,然后按下确定键就可以把频率,电压等参数写入到空白的晶振片上。如果还是不明白你就想一下,IC是怎么编程的,原理跟IC编程一个道理,只不过IC编程有分为电脑编辑以及手工模拟编辑,手工模拟编辑就是把一颗工片放在主机上,母片放入编辑机的附件,按下确定就可以把公片上的IC系列参数复制进入母片,不过目前可编辑的石英晶振现在还没做到这种地步。
现在市面上对硅晶体技术以及产量做的最优越的还得说美国的SiTime Crystal,对于美国SiTime晶振品牌来说在欧美市场非常受欢迎,并且很多大型科技企业得到了广泛应用,很遗憾的事,可编程硅晶体目前只针对有源石英晶体振荡器系列,并不对普通压电石英晶振可采取数据编辑。
SiTime硅晶振选型表
目前石英晶振行业可编辑的只针对贴片晶振系列产品,并且只限定有源晶振的石英晶体振荡器OSC系列尺寸。如果是普通无源石英晶体谐振器系列的话,目前是还不支持可编程的,并且是指针对SMD晶振系列,如果是引线型的插件晶振目前也不在支持范围。
根据早期电子元件信息平台发布,将来美国SiTime Corporation公司的硅晶体技术将会代替压电石英晶体,首先主要是先把硅晶体晶片植入ICCUP芯片一起绑定,硅晶体晶片跟ICCPU绑定之后,在外围的线路上讲可以省略预留压电石英晶体的位置,起到对贴片晶振的取代,并且可以为日益变小的电子产品节省更多的空间,不过时间都已经过去好几年了,也没见多有所行懂,目前应该还存在理论上。
那么可编程石英晶振目前市场如何呢?可编程石英晶振目前市场前景在中国国内来说市场并不是很好,国内主要还是使用常规的压电石英晶体振荡器多点,目前硅晶体可编程系列在国内接受度并没有得到广泛的认可,说难听点很多人连听都没听说过,更别说使用了。
目前国内市场有用到硅晶体可编程贴片晶振的企业主要以欧美企业,以及代工欧美OEM的企业比较多,因为可编程有源晶振在欧盟接受度还是比较大的。不过可硅晶体编程有源晶振对于一些工程设计,或者产品开发人士来说是件非常好的事情,因为很多产品在开发阶段使用频率都还处在选型阶段,而且硅晶体属于可编程贴片晶振,这样就大大的满足了工程设计阶段样品采购。
KDS晶振可编程系列M08008系列晶振
出力周波数:1 MHz~110 MHz(小数点以下6桁まで対応)
外形寸法:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波数許容偏差:±20 x 10-6
低消費電流:+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入门级SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太网
那么目前在国内市场都有那些品牌在做可编程石英晶振呢?在做的品牌有日本大真空KDS晶振,精工爱普生株式会社,爱普生晶振,日本京瓷晶振,KSS晶振品牌,以及台湾泰艺晶振,台湾亚陶晶振,美国SiTime晶振,不过目前在市场销售的品牌也就主要以美国SiTime晶振品牌为主了,台湾晶振品牌,以及日本进口晶振品牌中,在市场公开普及销售的还是比较少,不过日本的爱普生晶振品牌,以及KDS晶振品牌,这两个品牌目前可接受可编程晶振的定制,不过价格比起普通的压电石英晶体振荡器来说,还是非常昂贵的。
现在市面上对硅晶体技术以及产量做的最优越的还得说美国的SiTime Crystal,对于美国SiTime晶振品牌来说在欧美市场非常受欢迎,并且很多大型科技企业得到了广泛应用,很遗憾的事,可编程硅晶体目前只针对有源石英晶体振荡器系列,并不对普通压电石英晶振可采取数据编辑。
SiTime硅晶振选型表
普通单端振荡器XO 1-220MHz |
高性能、低抖动 <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT8208(1-80MHz) |
SiT8209(80.000001-220 MHz) | ||
低功耗系列 <3.8mA |
SiT8008(1-110MHz,最小封装尺寸2.0×1.6mm) | |
SiT8009(115-137MHz) | ||
业界首款SOT23封装振荡器 成本更低 |
SiT2001(1-110MHz,SOT23-5封装2.9×2.8mm) | |
SiT2002(115-137MHz) | ||
RTC时钟32.768KHz 超低功耗,超高精度 |
典型值0.9uA ±20ppm |
SiT1533(2.0×1.2mm,SMD) |
SiT1532(1.5×0.8mm,CSP) | ||
SiT1630(2012 SMD,-40~105℃) | ||
业界精度最高32.768K TCXO | SiT1552(±5ppm,1.5×0.8mm) | |
差分振荡器DXO 1-625MHz |
LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT9121(1-220MHz,2.25~3.63v) |
SiT9122(220.000001-625MHz,最小封装可到3.2×2.5mm) | ||
压控振荡器VCXO 1-625MHz |
<1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL |
SiT3808(1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm) |
SiT3809(80.000001-220 MHz) | ||
<0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL |
SiT3821(1-220MHz) | |
SiT3822(220.000001-625MHz) | ||
抗冲击宽温振荡器 -55℃~125℃,±20ppm MTBF 13亿小时 |
AEC-Q100汽车级振荡器 SOT23-5封装 |
SiT2024(1-110MHz, -40~105℃, -40~125℃) |
SiT2025(115.2-137MHz) | ||
AEC-Q100汽车级振荡器 普通SMD封装 |
SiT8924(1-110MHz, -40~125℃,封装尺寸最小到2.0×1.6mm) | |
SiT8925(220.000001-625MHz) | ||
50kg冲击军品级振荡器 SOT23-5封装 |
SiT2020(1-110MHz, -55~125℃) | |
SiT2021(119.342001-137MHz) | ||
50kg冲击军品级振荡器 标准SMD封装 |
SiT8920(1-110MHz, -55~125℃,封装尺寸最小到2.0×1.6mm) | |
SiT8921(119.342001-137MHz) | ||
编程器与FP空白片 任意频率,多种规格 |
SiT6100DK(SiTime硅晶振编程器套装) | |
SiT800X/ SiT200X(低功耗可编程晶振空白片,6种封装尺寸) | ||
SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000(低抖动可编程晶振空白片) | ||
SiT912X/ SiT38XX(压控差分可编程晶振空白片,3种封装尺寸) |
目前石英晶振行业可编辑的只针对贴片晶振系列产品,并且只限定有源晶振的石英晶体振荡器OSC系列尺寸。如果是普通无源石英晶体谐振器系列的话,目前是还不支持可编程的,并且是指针对SMD晶振系列,如果是引线型的插件晶振目前也不在支持范围。
爱普生可编程晶振 | SG-8101CA | SG-8101CB | SG-8101CE | SG-8101CG |
---|---|---|---|---|
Size | 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. | 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. | 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. | 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ. |
Output | CMOS | |||
Frequency range [ f0 ] |
0.67 MHz to 170 MHz | |||
Supply voltage [ Vcc] |
1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) |
|||
Frequency tolerance /Operating temperature |
±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃ ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃ ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃ |
|||
Current consumption |
f0 = 20 MHz 3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f0 = 170 MHz 6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) |
|||
Standby current |
0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) |
|||
Field oscillator programming tool | SG-Writer II爱普生晶振可编程系列 |
根据早期电子元件信息平台发布,将来美国SiTime Corporation公司的硅晶体技术将会代替压电石英晶体,首先主要是先把硅晶体晶片植入ICCUP芯片一起绑定,硅晶体晶片跟ICCPU绑定之后,在外围的线路上讲可以省略预留压电石英晶体的位置,起到对贴片晶振的取代,并且可以为日益变小的电子产品节省更多的空间,不过时间都已经过去好几年了,也没见多有所行懂,目前应该还存在理论上。
爱普生晶振可编程系列 | SG-9101CA | SG-9101CB | SG-9101CE | SG-9101CG |
---|---|---|---|---|
Size | 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. | 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. | 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. | 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ. |
Output | CMOS | |||
Frequency range [ f0 ] |
0.67 MHz to 170 MHz | |||
Supply voltage [ Vcc] |
1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) |
|||
Spread-spectrum | Down or Center spread modulation | |||
Operating temperature |
-40℃ to +85℃ -40℃ to +105℃ |
|||
Current consumption |
f0 = 20 MHz 3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f0 = 170 MHz 7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) |
|||
Standby current |
0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) |
|||
Field oscillator programming tool | SG-Writer II爱普生晶振可编程SG-9101系列 |
那么可编程石英晶振目前市场如何呢?可编程石英晶振目前市场前景在中国国内来说市场并不是很好,国内主要还是使用常规的压电石英晶体振荡器多点,目前硅晶体可编程系列在国内接受度并没有得到广泛的认可,说难听点很多人连听都没听说过,更别说使用了。
目前国内市场有用到硅晶体可编程贴片晶振的企业主要以欧美企业,以及代工欧美OEM的企业比较多,因为可编程有源晶振在欧盟接受度还是比较大的。不过可硅晶体编程有源晶振对于一些工程设计,或者产品开发人士来说是件非常好的事情,因为很多产品在开发阶段使用频率都还处在选型阶段,而且硅晶体属于可编程贴片晶振,这样就大大的满足了工程设计阶段样品采购。
KDS晶振可编程系列M08008系列晶振
出力周波数:1 MHz~110 MHz(小数点以下6桁まで対応)
外形寸法:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波数許容偏差:±20 x 10-6
低消費電流:+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入门级SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太网
KDS晶振可编程 | 記号 | Min. | Typ. | Max. | 単位 | 条件 |
---|---|---|---|---|---|---|
出力周波数範囲 | f | 1 | - | 110 | MHz | |
電源電圧 | Vdd | +1.62 | +1.8 | +1.98 | V | |
+2.25 | +2.5 | +2.75 | ||||
+2.52 | +2.8 | +3.08 | ||||
+2.7 | +3.0 | +3.3 | ||||
+2.97 | +3.3 | +3.63 | ||||
+2.25 | - | +3.63 | ||||
動作温度範囲 | T_use | -20 | - | +70 | ℃ | Extended Commercial |
-40 | - | +85 | Industrial | |||
周波数許容偏差 | F_stab | -20 | - | +20 | ×10-6 |
+25℃での初期周波数偏差、経時変化(1年)、温度特性、 動作電源電圧範囲での電源電圧特性、負荷特性を含む。 |
-25 | - | +25 | ||||
-50 | - | +50 | ||||
消費電流 | Idd | - | +3.8 | +4.5 | mA | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V |
- | +3.7 | +4.2 | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V | |||
- | +3.5 | +4.1 | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V | |||
OEディスエーブル電流 | I_od | - | - | +4.2 | mA | Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state |
- | - | +4.0 | Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state | |||
スタンバイ時電流 | I_std | - | +2.1 | +4.3 | μA | ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down |
- | +1.1 | +2.5 | ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down | |||
- | +0.2 | +1.3 | ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down | |||
デューティーサイクル | DC | 45 | - | 55 | % | All Vdds |
0レベル電圧 | VOL | - | - | Vdd × 0.1 | V |
IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V) |
1レベル電圧 | VOH | Vdd × 0.9 | - | - | V |
IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V) |
立上り、立下り時間 | Tr,Tf | - | 1.0 | 2.0 | ns | Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80% |
- | 1.3 | 2.5 | Vdd =+1.8V, 20% ~ 80% | |||
- | - | 2.0 | Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80% | |||
OE 0レベル入力電圧 | VIL | - | - | Vdd × 0.3 | V | Pin 1, OE or ST |
OE 1レベル入力電圧 | VIH | Vdd × 0.7 | - | - | V | Pin 1, OE or ST |
起動時間 | T_start | - | - | 5.0 | ms | Vddが定格最小値に達してからの時間 |
出力イネーブル時間 出力ディスエーブル時間 |
T_oe | - | - | 130 | ns | f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles |
レジューム時間 | T_resume | - | - | 5.0 | ms | ST 端子が50%のしきい値に達してからの時間 |
RMSピリオドジッタ | T_jitt | - | 1.8 | 3.0 | ps | f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V |
- | 1.8 | 3.0 | f = 75 MHz, Vdd = +1.8V | |||
Peak-to-peak ピリオドジッタ | T_pk | - | 12 | 25 | ps | f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V |
- | 14 | 30 | f = 75 MHz, Vdd = +1.8V | |||
RMS位相ジッタ (ランダム) | T_phj | - | 0.5 | 0.9 | ps | f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz |
- | 1.3 | 2.0 | f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz |
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