晶振官方博客
更多>>石英晶振内部全包含有那些参数
来源:http://www.konuaer.com 作者:konuaer 2012年04月30
石英晶振基本技术要求与基本参数 ,一颗石英晶体生产出来的成品都包含有那些参数与温度负载等.
1、 规格频率:晶振成品生产出规定的频率,通常标识在晶振产品外壳上。
2、晶振工作频率:晶振与工作电路共同产生的频率。
3、 调整频差偏差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许
偏差。
5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为
年老化率。
6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。
7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示。
负载电容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就应选推荐值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为
电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,
负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。
9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
RL=R1(1+C0/CL)2
激励电平可选值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基频:在振动模式最低阶次的振动频率。
13、 泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍,
这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
1、 规格频率:晶振成品生产出规定的频率,通常标识在晶振产品外壳上。
2、晶振工作频率:晶振与工作电路共同产生的频率。
3、 调整频差偏差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许
偏差。
5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为
年老化率。
6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。
7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示。
负载电容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就应选推荐值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为
电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,
负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。
9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
RL=R1(1+C0/CL)2
激励电平可选值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基频:在振动模式最低阶次的振动频率。
13、 泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍,
这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
正在载入评论数据...
相关资讯
- [2022-09-07]出色稳定性能的5032mm石英晶体振荡器X1...
- [2022-08-01]diodes晶振专用于时间显示设备的32.768...
- [2022-07-27]伊西斯的新型且创意的低姿态TCXO晶体振...
- [2020-06-22]深入探讨有源晶振8个基础参数词汇
- [2020-05-25]SiTime开发的新软件可模拟振荡器时间误...
- [2020-05-12]微处理器应该怎样选择匹配晶振?一文足...
- [2020-04-14]NDK株式会社差分振荡器NP3225SBB规格更...
- [2020-03-13]不同类型的Crystal Oscillator工作与电...
- [2019-11-09]了解EPSON晶振独特的封装技术
- [2019-09-21]NDK振荡器电路图介绍及安装示例
- [2019-09-16]拥有声子晶体结构的AT切割谐振器共振分...
- [2019-09-04]SMD Oscillator高温回流焊接的滞后反应...