晶振官方博客

更多>>

HCMOS/TTL时钟振荡器...

XO晶体振荡器536EB15...

石英晶体CSM1Z-A5B2C...

DSC1103BI2-100.0000...

首页欧美晶振 Greenray晶振T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振

编号：76939943
频率：20MHz
尺寸：5.0×3.2mm

Greenray晶振,T52石英晶体振荡器,进口有源晶振,T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E晶振,频率20MHz,5032mm晶振,电压3.3V,工作温度-20~70°C,低相位噪声晶振,低功耗晶振,6G基站晶振,高冲击电子设备晶振,移动无线电晶振,移动仪器...

分享到

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振,Greenray晶振,T52石英晶体振荡器,进口有源晶振,T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E晶振,频率20MHz,5032mm晶振,电压3.3V,工作温度-20~70°C,低相位噪声晶振,低功耗晶振,6G基站晶振,高冲击电子设备晶振,移动无线电晶振,移动仪器仪表晶振.
T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振特点：
•小巧坚固的5.0 x 3.2毫米封装
•承受振动和高达30，000 g的高冲击
•在20°C至+70°C温度范围内具有0.1 ppm的严格温度稳定性
•卓越的长期老化性能，10年内< 5 ppm
•低加速灵敏度< 0.7 ppb/g
•低功耗，低至2mA，实现可靠的电池供电性能增益
•低相位噪声

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振参数表

规格参数	数值	条件
频率	20MHz	+25°C
频率稳定度	±0.1ppm	-20°C to +70°C
工作温度	-20°C to +70°C
老化	± 3ppm max	1st year
加速度灵敏度	0.7ppb/g
电子频率控制	± 8ppm	EFC = 0 to VDD Positive slope
电压	3.3V(VDD）
输入电流	6mA	CMOS
输入电流	6mA	CMOS
负载	15pF
负载	15pF
储存温度	-40°C to +85°C

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振 尺寸图

1.技术支持 2.客服咨询
全方位技术指导,专业的技术支持让您感受到专业的销售团队,耐心为您解答任何疑问,让您的
前所未有的后顾无忧. 消费得到保障.
3.质量保证，诚信为上 4.提升业绩,降低成本
我司以“以科技为动力，以质量求生存”为理念. 为您的产品量身订制,免费取样,
为您做到低成本,高效率.