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EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216

编号：88459456
频率：32MHZ
尺寸：1.6*1.2mm

EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216,Ecliptek晶振,欧美晶振,进口晶振,石英晶体,音叉晶体,超小型晶振,1612mm贴片晶振,石英SMD晶振,型号EB1216,EB1216YA10-32.000M-TR是一款金属面贴片型的石英晶...

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EB1216JA10-24.576M TR晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216

EB1216YA10-32.000M-TR晶振参数表

Ecliptek晶振	单位	EB1212晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C～+85°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:100μW ～ 300μW
频率公差	f_— l	±30ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.konuaer.com/
频率温度特征	f_tem	±50× 10^-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	C	10pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	150 Ohms	-10°C— +60°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216 尺寸图

EB1216YA10-32.000M-TR晶振使用注意事项
电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）.

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的进口晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

超声波清洗

（1）使用AT-切割晶体和声表面滤波器（SAW）/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗.但是,在某些条件下, 石英SMD晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏.确保已事先检查系统的适用性.

（2）使用进口音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏.EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216

（3）请勿清洗开启式无源贴片晶体产品

（4）对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等.

（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固.这会引起诸如位移等其它现象.这将会负面影响产品的可靠性和质量.请清理残余的助焊剂并烘干PCB.

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.

ECLIPTEK晶振将确保其振荡器和石英晶体谐振器产品及相关设施满足甚至超出国家的以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时该公司尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动. 在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标,同时在各种经营与生产活动中完全遵守并符合现行所有标准规范的要求.

Ecliptek晶振将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意.
ECLIPTEK晶振所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.消除事故和环境方面的偶发事件,减少废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应.EB1216YA10-32.000M-TR无源晶体,美国进口晶振品牌日蚀EB1216
对我们的高品质贴片晶体产品进行检验,同时告知我们的员工顾客以及公众,如何安全的使用,如何使用对环境影响较小,帮助我们的雇员合同方商业伙伴服务提供上理解他们的行为如何影响着环境.

制造商零件编号	供应商	系列	类型	频率	频率稳定性	频率容差	负载电容
EB2532JA12-26.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	26 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-12.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	12 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-12.288M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	12.288 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-16.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	16 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532YA12-12.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	12 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-30.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	30 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-32.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	32 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-13.560M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	13.56 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-24.576M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	24.576 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-16.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶体	16 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB1216JA10-24.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶体	24 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1216JA10-24.576M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶体	24.576 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1216YA10-24.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶体	24 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1216YA10-24.576M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶体	24.576 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620JA10-24.576M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶体	24.576 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-25.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶体	25 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1216YA10-32.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶体	32 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620JA10-32.000M TR	Ecliptek	EB1620	进口石英晶体	32 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1216YA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶体	27.12 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EA2025JA18-30.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶体	30 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
EA2025SA10-32.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶体	32 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF
EB3250AYA08-8.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶体	8 MHz	±50ppm	±30ppm	8pF
E1SJA18-6.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	6 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-18.432M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	18.432 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SFA18-4.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	4 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SJA18-14.31818M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	14.31818 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-6.144M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	6.144 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-28.63636M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	28.63636 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-13.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	13 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-19.6608M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	19.6608 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-9.8304M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	9.8304 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-32.000M TR	Ecliptek	E1S	-	-	-	-	-
EA2025MA10-16.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶体	16 MHz	±20ppm	±15ppm	10pF
EA2025MA10-32.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶体	32 MHz	±20ppm	±15ppm	10pF
E1WCDA12-32.768K	Ecliptek	E1WC	kHz 晶体（音叉）	32.768 kHz	-	±20ppm	12.5pF
E1SJA18-18.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	18 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-20.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶体	20 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF

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